トポロジカル物质を用いた量子エレクトロニクス
- 3.2 データ保存デバイス?マテリアル（新原理メモリ、3D集積メモリ など）
- 3.3 データ通信デバイス?マテリアル（高周波デバイス、IoTデバイス など）
中辻 知
理学系研究科
教授
不挥発性メモリや论理演算素子等のスピンエレクトロニクスデバイスでは更なる高速化や高密度化へ向けて反强磁性体の活用が强く望まれている。本プロジェクトでは、电子构造のトポロジーを用いて、従来の反强磁性体では期待されない巨大电気磁気応答等の量子机能物性を开拓し、脳型计算机や量子コンピューターにつながる革新的メモリ素子等の量子エレクトロニクスデバイスに革新をもたらすことを目标とする。
东京大学
东京大学
プロジェクトに関する鲍搁尝
主な関连论文
- H. Tsai, T. Higo et al., Nature 580, 680 (2020).
- T. Higo et al., Nature Photon. 12, 73 (2018).
- S. Nakatusji et al., Nature 527, 212 (2015).
主な特许
- 特開 WO2017/018391 メモリ素子 中辻 知 国立大学法人东京大学
- 特開 2018/0301177 メモリ素子 中辻 知 国立大学法人东京大学
- 特願 2019025853 スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 中辻 知,大谷 義近 国立大学法人东京大学
- 特願 PCT/JP2020/005901 スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 中辻 知,大谷 義近 国立大学法人东京大学
関连する厂顿骋蝉项目
问い合わせ先
- 担当： 理学系研究科物理学専攻 中辻 知
- 電話： 04-7136-3240
- メールアドレス： satoru[at]phys.s.u-tokyo.ac.jp
※摆补迟闭を蔼に置き换えてください
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